Citat:
bogdan.kecman:
sto se tice forward vs reverse zavisi sta se radi, kod ispravljanja ac signala reverse je bitan ali za back emf zastitu (sto je meni bitnije) forward recovery je bitniji
Bogdane,
Znam da tek ulazis dublje u ovu oblast, pa cu ti dati neke prakticne orijentacije oko znacaja tfr u odnosu na trr.
Kada diodu koristis kao zastitu od back emf, ocekuj premasaj forward napona diode od svega nekoliko volti.
To nije tako strasna pojava kod vecine slucajeva.
Obicno je prekidacki element dimenzionisan tako da mu je probojni napon bar za tih nekoliko volti visi od napona napajanja.
Takodje strminu back emf odredjuju razne stvari:
- parazitni kapacitet samog L
- parazitni kapacitet prekidackog elementa
- i kao najznacajniji skup faktora, sa ucescem nekoliko DESETINA puta vecim od oba prethodno navedena, Milerov kapacitet prekidackog elementa, total Qg Mosfeta, ili vreme rekombinacije bazne deonice kod BJT.
Primer: Da bi forvard recoverry vremenom zastitne diode ugrozio 55V Mosfet (poput IRFZ44 koji ima bas mali Qg za svoje mogucnosti), gde je napajanje 48VDC, a Mosfet prekida par desetina ampera, za Mosfet-ov gejt bi ti bio potreban driver koji ima strujnu sposobnost od 15-tak ampera i Rg od par ohma, ili 1N540x kao dump dioda pri >10KHz gde su tranzicije Mosfet-a krace od 500nS. Bilo koja dioda cije je tfr < 300nS ce biti dovoljna zastita od back emf u navedenom slucaju.
Takav driver se stavlja tek kada nameravas da doticni mosfet koristis u predajne svrhe i to na 10-tak MHz, gde vec zbog prisustva oscilatornog kola zastitna dioda gubi smisao, a svakako da neces upotrebiti obicnu mreznu diodu za switching aplikaciju.
Forward recoverry problemi su "rezervisani" za SMPS, koji rade sa kojom stotinom ampera i > 20KHz, i to ako se mora primeniti razudjena konstrukcija, pa postanu znacajne parazitne induktivnosti vodova (pri 100A vec postaje problem i par stotina nH), ukljucujuci i faktor da je hard switching u pitanju.
Pri 100-200A postaje kritican induktivitet sors nozice Mosfet-a (ili emitera BJT ili IGBT), jer se na njoj pojavi nezeljena NEGATIVNA povratna sprega, a sors (respektivno emiter) uvodnici obicno imaju svega 10-tak nH induktiviteta, pa se tu vec koriste moduli gde je za drive izveden poseban sors uvodnik koji ide pravo na peletu tranzistora !!!
Kod svih naprava koje jednom rukom mozes podici na radni sto forward vreme ne treba da te zabrinjava :-).
Ali (uvek postoji to ali), ta ista dioda koja stiti Mosfet od back emf, za vreme UKLJUCIVANJA Mosfeta biva paralelno vezana sa L koju kontrolises, i kroz nju ce sa desetinu puta losijim driverom Mosfet-a od onog "drivera-cudovista" koje sam naveo prethodno (a kojima se "guraju" kiloamperski IGBT) , poteci koja desetina ili dvadesetina ampera reverse recoverry struje, u trajanju njenog trr.
Za to vreme je Mosfet u tranziciji i prolazi kroz tacku maksimalne discipacije (U/2 * I/2), cemu se pridodaje discipacija zbog trr diode, a koja je umnozak I-recoverry * VDC napajanja (a ako dosta struje "guras" u gejt, onda trr i traje znacajno duze od tranzicije Mosfet-a).
Sa prirastom frekvencije naprave, discipacija potekla od trr diode moze postati dominantni izvor zagrevanja Mosfeta.
Kako "doskociti" forward i reverse recoverry vremenima?
Ispravnim kompromisom izmedju strmine tranzicija prekidackog tranzistora i trr diode.
Puno (manje iskusnih) konstruktora stavlja mali Rg ocekujuci manju discipaciju na Mosfet-ima, a dobiju upravo VECU zbog drasticnog povecanja recoverry struje diode, i cela im naprava izgubi znacajan procenat KKD zbog javljanja nuzne neophodnosti stavljanja raznih snubber elemenata koji takodje "jedu" snagu beskorisno. Svakodnevno to vidjam po raznim "fabrickim" napravama.
Veruj mi nema boljeg snubbera od samog Mosfet-a, pametnom kontrolom gejta se moze deo toplote premestiti na same Mosfet-e sa dobitkom izuzetno bezbednog rada i malih EMI, a ta toplota (i jos veca) bi se svejedno "bacila" na snubberima i jezgru induktiviteta koje znacajno vise discipira sa vrlo strmim tranzicijama.
Posto si covek koji naucno posmatra stvari, razlozi talasni oblik sa veoma strmim tranzicijama na Furijeov red, pa ces za trenutak shvatiti koliko postaje znacajno ucesce visih harmonicnih komponenti na switching gubitke u sledecim elementima:
-prekidaki tranzistori
-jezgra induktiviteta
-snubber kola
-razne diode, gde su interne diode Mosfet-a i ispravljacke diode ponajgore
-razni parazitni kapaciteti
-razne rasipne induktivnosti
-skin efekat svuda, pocev od samih nozica Mosfet-a pa na dalje
-cak i gubici zracenjem elektromagnetnog talasa sa duzih vodova
-transformatorski gubici, vec i kratki vodovi se ponasaju kao primar prema susednim vodovima i prema kutiji uredjaja
Kada bi se napravio dijagram KKD nekog SMPS, gde bi na X osi bio nagib tranzicija prekidackih elemenata, a na Y osi KKD, dobila bi se kriva nalik obrnutom latinicnom slovu U.
Dobar inzenjering je kada radnu oblast "smestimo" na vrh tog obrnutog U, a to se cini pravilnim izborom nagiba tranzicija,
Svakako da o KKD ne odlucuje samo jedan dijagram, vec koja desetina njih, ali se unijom svih njih, radno polje obicno nadje blizu vrha tog prevrnutog U.
Dakle, reverse recoverry vreme diode je neuporedivo znacajnije od forward recoverry vremena iste diode.
Izuzetak cine SMPS gde ima samo nekoliko navoja na jezgru, i gde diode i Mosfet-i imaju veoma nizak probojni napon, i to je oblast SMPS za svega par volti izlaznog napona i nekoliko desetina ampera izlazne struje (poput polifaznog buck na osnovnoj ploci PC), cak i tu forward recoverry vreme nije dominantan faktor, ali ga treba ozbiljno uzeti u obzir i shvatiti kao potencijalnu pretnju po bezbednost i KKD.
Sustina je u tome da svim komponentama osim samih prekidackih tranzistora najvise "prija" sinusni talasni oblik, a samim prekidackim tranzistorima "prija" pravougaoni (pre se moze reci trapezni sa strmim ivicama).
To je poprilicno postignuto u rezonantnim ZVS ili ZCS konvertoima, gde jedino prekidacki tranzistori "barataju" prilicno pravougaonim talasnim oblikom jedne velicine (ili napon ili struja, nikako oboje, zavisno od topologije ZVS ili ZCS), a vecina ostalih komponenti (posebno trafo i diode), priblizno sinusnim talasnim oblikom, a sto je podiglo KKD takvih pretvaraca na pre koju deceniju neostvarljivih 96-98% i poravnalo ih sa standardnim mreznim transformatorima sto se KKD tice.
Vodecu ulogu su preuzeli naponski LLC ZVS rezonantni konvertor, i rezonantni ZVS Cuk sa unipolarnim switching elementom i BEZ ispravljaca na ulazu kao pravi biser medju SMPS konvertorima (radi najdirektnije "prikacen" na AC mrezu i ima 98% KKD).
Ovaj drugi je pod patentnim pravom dr. Slobodana Cuka, dok prvi mozemo praviti bez problema.
KKD takvih naprava pociva na dva najbitnija faktora:
-dominantni faktor je (skoro potpuno) nepostojanje reverse recoverry struja iz internih "body" dioda Mosfet-a i takodje i ekstremno umanjenje reverse recoverry struja izlaznih ispravljackih dioda, a sve to zahvaljujuci ZVS (respektivno ZCS) metodi switching-a, i sinusnom obliku struja kroz izlazne diode.
-drugi znacajan faktor (ali manje znacajan) je sinusni oblik magnecenja jezgra trafoa, gde je moguce preneti znacajno vecu snagu istim jezgrom, a upravo zbog minimalnog sadrzaja visih harmonika gde je prakticno manji prirast temperature jezgra i bakra pa se trafo moze vise opteretiti.
Sve to udruzeno je donelo i prednosti lakseg proracuna skin efekta (barata se uglavnom osnovnim harmonikom ili uskim spektrom ucestanosti), i znacajno nize EMI smetnje iz istog razloga, te i zbog ravnomernije distribucije po spektru.
------------------------------------------------------------------------------------------------
Bas sam se "raspricao" :-), ali verujem da ce jos neko naci koju korisnu rec u prethodnom tekstu...
Pozdrav druze